国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于硬模应用的含硅与金属材料的形成”的专利，公开号CN121336526A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区。沉积前驱物可包括含硅前驱物和含金属前驱物。含硅前驱物和含金属前驱物在到达处理区之前可被流体地隔离。基板可被容纳在处理区内。这些方法可包括产生沉积前驱物的等离子体流出物。这些方法可包括在基板上形成含硅与金属材料层。

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